Výrobca Číslo produktu:
CXDM1002N TR PBFREE
Product Overview
Výrobca:
Central Semiconductor Corp
Číslo dielu:
CXDM1002N TR PBFREE-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89
Inventár:
2739 Ks Nové Originálne Na Sklade
12789624
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
CXDM1002N TR PBFREE Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Central Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
300mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (max.)
20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
550 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.2W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-89
Balenie / puzdro
TO-243AA
Základné číslo produktu
CXDM1002
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Zdroje návrhu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
CXDM1002N DKR
CXDM1002N TR LEAD FREE
1514-CXDM1002NTRPBFREETR
CXDM1002N CT
CXDM1002N TR
1514-CXDM1002NTRPBFREEDKR
CXDM1002N DKR-DG
1514-CXDM1002NTRPBFREECT
CXDM1002NTR-DG
CXDM1002NCT
CXDM1002NCT-DG
CXDM1002N CT-DG
CXDM1002NDKR
CXDM1002NTR
CXDM1002N TR-DG
CXDM1002NDKR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
CDM7-650 TR13 PBFREE
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
CXDM4060N TR PBFREE
MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89
CSD19533Q5A
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
